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MIXA81H1200EH

MIXA81H1200EH

Nur als Referenz

Teilenummer MIXA81H1200EH
PNEDA Teilenummer MIXA81H1200EH
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 84A
Hersteller IXYS
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Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 3 - Dez 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MIXA81H1200EH Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIXA81H1200EH
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIXA81H1200EH, MIXA81H1200EH Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 316,39 KB)
PDFMIXA81H1200EH Datenblatt Cover
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MIXA81H1200EH Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationFull Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Leistung - max390W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 77A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE3
LieferantengerätepaketE3

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

355A

Leistung - max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 225A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E+

Lieferantengerätepaket

E+

FS50R06YE3BOMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Leistung - max

160W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT75H60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Leistung - max

80W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

530pF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IRG7T15FF12Z

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Leistung - max

210W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

EZIRPACK 1™ Module

Lieferantengerätepaket

EZIRPACK 1™

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