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MIXA30W1200TED

MIXA30W1200TED

Nur als Referenz

Teilenummer MIXA30W1200TED
PNEDA Teilenummer MIXA30W1200TED
Beschreibung IGBT MODULE 1200V 30A
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MIXA30W1200TED Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIXA30W1200TED
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MIXA30W1200TED, MIXA30W1200TED Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 234,85 KB)
PDFMIXA30W1200TED Datenblatt Cover
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MIXA30W1200TED Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)43A
Leistung - max150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2.1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallE2
LieferantengerätepaketE2

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Three Phase

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Leistung - max

2200W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

33nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E+

Lieferantengerätepaket

E+

APTGF300SK120G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1780W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

APTGT100DH120TG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

VS-GT300FD060N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Level Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

379A

Leistung - max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

23.3nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Dual INT-A-PAK (4 + 8)

Lieferantengerätepaket

Dual INT-A-PAK

APT75GN120JDQ3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

124A

Leistung - max

379W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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