MIO1200-33E10
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| Teilenummer | MIO1200-33E10 |
| PNEDA Teilenummer | MIO1200-33E10 |
| Beschreibung | MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.498 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 11 - Apr 16 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MIO1200-33E10 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MIO1200-33E10 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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MIO1200-33E10 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Konfiguration | Single Switch |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3300V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1200A |
| Leistung - max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 120mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 187nF @ 25V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | E10 |
| Lieferantengerätepaket | E10 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250A Leistung - max 890W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 350µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
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