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MII100-12A3

MII100-12A3

Nur als Referenz

Teilenummer MII100-12A3
PNEDA Teilenummer MII100-12A3
Beschreibung IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.358
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MII100-12A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMII100-12A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MII100-12A3, MII100-12A3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 186,91 KB)
PDFMII100-12A3 Datenblatt Cover
MII100-12A3 Datenblatt Seite 2 MII100-12A3 Datenblatt Seite 3 MII100-12A3 Datenblatt Seite 4 MII100-12A3 Datenblatt Seite 5 MII100-12A3 Datenblatt Seite 6

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MII100-12A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)135A
Leistung - max560W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce5.5nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallY4-M5
LieferantengerätepaketY4-M5

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Powerex Inc.

Serie

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IGBT-Typ

-

Konfiguration

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

1980W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

49.4nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

FD900R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900A

Leistung - max

5100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

MG12100D-BA1MM

Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Leistung - max

1000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

8.58nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

D3

APTGT300A170G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

1660W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

26.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

DF900R12IP4DVBOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single Chopper

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900A

Leistung - max

5100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 900A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

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