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MIC4101YM-TR

MIC4101YM-TR

Nur als Referenz

Teilenummer MIC4101YM-TR
PNEDA Teilenummer MIC4101YM-TR
Beschreibung IC DRIVER MOSFET 100V TTL 8-SOIC
Hersteller Microchip Technology
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MIC4101YM-TR Ressourcen

Marke Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMIC4101YM-TR
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber

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MIC4101YM-TR Technische Daten

HerstellerMicrochip Technology
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung9V ~ 16V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)118V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)400ns, 400ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

11ns, 11ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

MC33152P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

6.1V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

36ns, 32ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

HIP4082IPZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8.5V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.4A, 1.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

95V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9ns, 9ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

ISL83202IPZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8.5V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

70V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9ns, 9ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PDIP

LTC4446EMS8E#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

Hersteller

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7.2V ~ 13.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1.85V, 3.25V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.5A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 5ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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