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MG12300D-BA1MM

MG12300D-BA1MM

Nur als Referenz

Teilenummer MG12300D-BA1MM
PNEDA Teilenummer MG12300D-BA1MM
Beschreibung IGBT 1200V 450A 1800W PKG D
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MG12300D-BA1MM Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMG12300D-BA1MM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MG12300D-BA1MM, MG12300D-BA1MM Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.869,99 KB)
PDFMG12300D-BA1MM Datenblatt Cover
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MG12300D-BA1MM Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)450A
Leistung - max1800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 300A (Typ)
Strom - Kollektorabschaltung (max.)2mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce21.2nF @ 25V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketD3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Leistung - max

100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 16A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ECO-PAC2

Lieferantengerätepaket

ECO-PAC2

2PS12017E34W32132NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-25°C ~ 55°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

IFS150B12N3E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

750W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APTGT75DH60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Asymmetrical Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

APTGT150DA60T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

225A

Leistung - max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

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