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MG1225H-XBN2MM

MG1225H-XBN2MM

Nur als Referenz

Teilenummer MG1225H-XBN2MM
PNEDA Teilenummer MG1225H-XBN2MM
Beschreibung IGBT MOD 1200V 25A PKG H CRCT:XB
Hersteller Littelfuse
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Auf Lager 3.960
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MG1225H-XBN2MM Ressourcen

Marke Littelfuse
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMG1225H-XBN2MM
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
MG1225H-XBN2MM, MG1225H-XBN2MM Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.841,93 KB)
PDFMG1225H-XBN2MM Datenblatt Cover
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MG1225H-XBN2MM Technische Daten

HerstellerLittelfuse Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter with Brake
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Leistung - max105W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce1.1nF @ 25V
EingabeThree Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Leistung - max

355W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Leistung - max

620W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

12.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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POWIR® 34

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

460A

Leistung - max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

750µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

1700W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

3.3mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Y3-Li

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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