MDS400
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| Teilenummer | MDS400 |
| PNEDA Teilenummer | MDS400 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.370 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MDS400 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MDS400 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MDS400 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
| Frequenz - Übergang | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 6.5dB |
| Leistung - max | 1450W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55KT |
| Lieferantengerätepaket | 55KT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB Leistung - max 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55CX Lieferantengerätepaket 55CX |
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