MDS150
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| Teilenummer | MDS150 |
| PNEDA Teilenummer | MDS150 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.106 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MDS150 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MDS150 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MDS150 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Frequenz - Übergang | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 10dB |
| Leistung - max | 350W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 500mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55AW |
| Lieferantengerätepaket | 55AW |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz Gewinn 10.2dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
