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MD7P19130HR5

MD7P19130HR5

Nur als Referenz

Teilenummer MD7P19130HR5
PNEDA Teilenummer MD7P19130HR5
Beschreibung FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI780H-4
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.236
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MD7P19130HR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMD7P19130HR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MD7P19130HR5, MD7P19130HR5 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 808,63 KB)
PDFMD7P19130HSR5 Datenblatt Cover
MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 2 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 3 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 4 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 5 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 6 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 7 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 8 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 9 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 10 MD7P19130HSR5 Datenblatt Seite 11

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MD7P19130HR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual)
Frequenz1.99GHz
Gewinn20dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.25A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallNI780-4
LieferantengerätepaketNI-780-4

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Frequenz

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Gewinn

14dB

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60mA

Rauschzahl

0.35dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

165mW

Spannung - Nennspannung

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Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

13.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

180W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

450MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

BF2030E6814HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

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