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MCH4015-TL-H

MCH4015-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer MCH4015-TL-H
PNEDA Teilenummer MCH4015-TL-H
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 28.314
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MCH4015-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH4015-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MCH4015-TL-H, MCH4015-TL-H Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 294,64 KB)
PDFMCH4015-TL-H Datenblatt Cover
MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 2 MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 3 MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 4 MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 5 MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 6 MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 7 MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 8 MCH4015-TL-H Datenblatt Seite 9

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MCH4015-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn17dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket4-MCPH

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

87.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

18dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-MCPH

KSC1674CYBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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