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MCH3914-7-TL-H

MCH3914-7-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer MCH3914-7-TL-H
PNEDA Teilenummer MCH3914-7-TL-H
Beschreibung JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.166
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MCH3914-7-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH3914-7-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - JFETs
Datenblatt
MCH3914-7-TL-H, MCH3914-7-TL-H Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 948,16 KB)
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MCH3914-7-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN-Channel
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)-
Drain to Source Voltage (Vdss)15V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)16mA @ 5V
Stromaufnahme (Id) - max50mA
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id600mV @ 10µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4.9pF @ 5V
Widerstand - RDS (Ein)-
Leistung - max300mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketSC-70FL/MCPH3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

25V

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

500mV @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 15V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

310mW

Betriebstemperatur

135°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

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Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

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Drain to Source Voltage (Vdss)

15V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

16mA @ 5V

Stromaufnahme (Id) - max

50mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

300mV @ 100µA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10pF @ 5V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

40V

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

800mV @ 0.5nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Widerstand - RDS (Ein)

60 Ohms

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

SMMBF4393LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

30V

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 15V

Stromaufnahme (Id) - max

-

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

3V @ 10nA

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14pF @ 15V (VGS)

Widerstand - RDS (Ein)

100 Ohms

Leistung - max

225mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 10V

Stromaufnahme (Id) - max

20mA

Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9pF @ 10V

Widerstand - RDS (Ein)

-

Leistung - max

200mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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