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MCD250-08IO1

MCD250-08IO1

Nur als Referenz

Teilenummer MCD250-08IO1
PNEDA Teilenummer MCD250-08IO1
Beschreibung MOD THYRISTOR/DIODE 800V Y2-DCB
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.266
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MCD250-08IO1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCD250-08IO1
KategorieHalbleiterThyristorenThyristoren - SCRs - Module
Datenblatt
MCD250-08IO1, MCD250-08IO1 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 148,29 KB)
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MCD250-08IO1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
StrukturSeries Connection - SCR/Diode
Anzahl der SCRs, Dioden1 SCR, 1 Diode
Spannung - Aus Zustand800V
Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)221A
Current - On State (It (RMS)) (max.)450A
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)2V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)150mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)8000A, 8500A
Current - Hold (Ih) (Max)150mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 140°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallY2-DCB

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Hersteller

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Serie

-

Struktur

Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1)

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs, 2 Diodes

Spannung - Aus Zustand

1kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

-

Current - On State (It (RMS)) (max.)

-

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

50mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A @ 60Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

75mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

VS-VSKH26/16

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

27A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

60A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2.5V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

400A, 420A

Current - Hold (Ih) (Max)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR, 1 Diode

Spannung - Aus Zustand

800V

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

160A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

250A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

150mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

4870A, 5100A

Current - Hold (Ih) (Max)

150mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

POW-R-BLOK™ Module

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Single

Anzahl der SCRs, Dioden

1 SCR

Spannung - Aus Zustand

1.8kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

424A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

750A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

7200A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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TD330N16KOFTIMHPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Struktur

Series Connection - SCR/Diode

Anzahl der SCRs, Dioden

2 SCRs

Spannung - Aus Zustand

1.6kV

Aktueller Ein-Zustand (It (AV)) (Max)

330A

Current - On State (It (RMS)) (max.)

520A

Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.)

2V

Current - Gate Trigger (Igt) (Max)

200mA

Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)

12500A @ 50Hz

Current - Hold (Ih) (Max)

300mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 130°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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