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MBRTA80080

MBRTA80080

Nur als Referenz

Teilenummer MBRTA80080
PNEDA Teilenummer MBRTA80080
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 80V 400A 3TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 3.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBRTA80080 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRTA80080
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays

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MBRTA80080 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)400A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If840mV @ 400A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 80V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallThree Tower
LieferantengerätepaketThree Tower

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Hersteller

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1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

460mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.5mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

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Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

305A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 600A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40mA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

Y2-DCB

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Powerex Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

660A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1978A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

POW-R-BLOK™ Module

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 40V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-244AB

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 50mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

700ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

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SOT-23-3

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