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MBRT30080R

MBRT30080R

Nur als Referenz

Teilenummer MBRT30080R
PNEDA Teilenummer MBRT30080R
Beschreibung DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 3.186
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBRT30080R Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRT30080R
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBRT30080R, MBRT30080R Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 789,35 KB)
PDFMBRT30080R Datenblatt Cover
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MBRT30080R Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)300A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If880mV @ 150A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallThree Tower
LieferantengerätepaketThree Tower

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Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

640mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

790mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

160A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MAGN-A-PAK (3)

Lieferantengerätepaket

MAGN-A-PAK®

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 70V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 70V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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