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MBRH12030

MBRH12030

Nur als Referenz

Teilenummer MBRH12030
PNEDA Teilenummer MBRH12030
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 120A D-67
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 6.120
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBRH12030 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRH12030
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MBRH12030, MBRH12030 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 645,69 KB)
PDFMBRH12035R Datenblatt Cover
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MBRH12030 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)120A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If650mV @ 120A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr4mA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD-67
LieferantengerätepaketD-67
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

800ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G3-B

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

EM 1ZV0

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

970mV @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

JAN1N5819UR-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/586

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

490mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

70pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AB, MELF (Glass)

Lieferantengerätepaket

DO-213AB (MELF, LL41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 125°C

VS-87HF120M

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

85A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 267A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB (DO-5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 180°C

SD200N12PV

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 630A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AC, DO-30, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AC (DO-30)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

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