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MBRD650CTG

MBRD650CTG

Nur als Referenz

Teilenummer MBRD650CTG
PNEDA Teilenummer MBRD650CTG
Beschreibung DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V 3A DPAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $8,2213
100 ---------- $7,8359
250 ---------- $7,4506
500 ---------- $7,0652
750 ---------- $6,7440
1.000 ---------- $6,4229
Auf Lager 3.355
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MBRD650CTG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBRD650CTG
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBRD650CTG, MBRD650CTG Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 168,4 KB)
PDFMBRD620CTT4 Datenblatt Cover
MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 2 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 3 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 4 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 5 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 6 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 7 MBRD620CTT4 Datenblatt Seite 8

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MBRD650CTG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieSWITCHMODE™
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If700mV @ 3A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 50V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Three Tower

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Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

120V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 120V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Semtech Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

48000V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

48V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 48000V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

ND411235

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

350A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 1000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

10µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30mA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

POW-R-BLOK™ Module

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

770mV @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

640µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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