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MBR50045CTR

MBR50045CTR

Nur als Referenz

Teilenummer MBR50045CTR
PNEDA Teilenummer MBR50045CTR
Beschreibung DIODE MODULE 45V 500A 2TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 6.642
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR50045CTR Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR50045CTR
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR50045CTR, MBR50045CTR Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 687,5 KB)
PDFMBR50080CTR Datenblatt Cover
MBR50080CTR Datenblatt Seite 2 MBR50080CTR Datenblatt Seite 3

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MBR50045CTR Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Anode
DiodentypSchottky, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)500A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If750mV @ 250A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 20V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTwin Tower
LieferantengerätepaketTwin Tower

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Toshiba Semiconductor and Storage

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-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

90µA @ 650V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

55A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

490mV @ 55A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3.5mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

D-61-8-SM

Lieferantengerätepaket

D-61-8-SM

MBRT600150

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

300A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

880mV @ 300A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Super Barrier

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

560mV @ 15A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

820mV @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 35V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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