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MBR2X100A200

MBR2X100A200

Nur als Referenz

Teilenummer MBR2X100A200
PNEDA Teilenummer MBR2X100A200
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 7.974
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MBR2X100A200 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR2X100A200
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR2X100A200, MBR2X100A200 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 647,26 KB)
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MBR2X100A200 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If920mV @ 100A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr3mA @ 200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

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Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

250A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.57V @ 800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

2µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

810mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

1PS66SB82,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodenkonfiguration

3 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

15V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

30mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 30mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 1V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-666

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

18A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB

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Hersteller

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Serie

-

Diodenkonfiguration

-

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

45A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 54A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

6µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

-

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