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MBR2X100A080

MBR2X100A080

Nur als Referenz

Teilenummer MBR2X100A080
PNEDA Teilenummer MBR2X100A080
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 80V 100A SOT227
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MBR2X100A080 Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR2X100A080
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MBR2X100A080, MBR2X100A080 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 646,78 KB)
PDFMBR2X100A080 Datenblatt Cover
MBR2X100A080 Datenblatt Seite 2 MBR2X100A080 Datenblatt Seite 3

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MBR2X100A080 Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration2 Independent
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)100A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If840mV @ 100A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1mA @ 80V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-227-4, miniBLOC
LieferantengerätepaketSOT-227

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

120A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

3mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

90V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

830mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 90V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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V40PW15C-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.45V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 150V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

SlimDPAK

BYV32-200HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

18A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

VS-6CSH01HM3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

940mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Surface Mount

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