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MBR2150VGTR-E1

MBR2150VGTR-E1

Nur als Referenz

Teilenummer MBR2150VGTR-E1
PNEDA Teilenummer MBR2150VGTR-E1
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 150V 2A DO15
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 7.992
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MBR2150VGTR-E1 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMBR2150VGTR-E1
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MBR2150VGTR-E1, MBR2150VGTR-E1 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 257,36 KB)
PDFMBR2150VRTR-E1 Datenblatt Cover
MBR2150VRTR-E1 Datenblatt Seite 2 MBR2150VRTR-E1 Datenblatt Seite 3 MBR2150VRTR-E1 Datenblatt Seite 4 MBR2150VRTR-E1 Datenblatt Seite 5 MBR2150VRTR-E1 Datenblatt Seite 6 MBR2150VRTR-E1 Datenblatt Seite 7 MBR2150VRTR-E1 Datenblatt Seite 8

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MBR2150VGTR-E1 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)150V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If850mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 150V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallDO-204AC, DO-15, Axial
LieferantengerätepaketDO-15
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

4.3A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.65V @ 5A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

274pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-276AA

Lieferantengerätepaket

TO-276

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 250°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N3890AR

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

440pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-221AC, SMA Flat Leads

Lieferantengerätepaket

DO-221AC (SlimSMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

125V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5nA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

8pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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