MBR10100CT-E3/4W
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| Teilenummer | MBR10100CT-E3/4W |
| PNEDA Teilenummer | MBR10100CT-E3-4W |
| Beschreibung | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.532 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MBR10100CT-E3/4W Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MBR10100CT-E3/4W |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
MBR10100CT-E3/4W, MBR10100CT-E3/4W Datenblatt
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MBR10100CT-E3/4W Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | TMBS® |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 580mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 560mV @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.75mA @ 40V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodenkonfiguration 2 Independent Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 120A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 70ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 200V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ISOTOP Lieferantengerätepaket ISOTOP® |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 400A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 200A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 125ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 60ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 600V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
