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MB85RS2MTPF-G-JNERE2

MB85RS2MTPF-G-JNERE2

Nur als Referenz

Teilenummer MB85RS2MTPF-G-JNERE2
PNEDA Teilenummer MB85RS2MTPF-G-JNERE2
Beschreibung IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP
Hersteller Fujitsu Electronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MB85RS2MTPF-G-JNERE2 Ressourcen

Marke Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMB85RS2MTPF-G-JNERE2
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MB85RS2MTPF-G-JNERE2, MB85RS2MTPF-G-JNERE2 Datenblatt (Total Pages: 28, Größe: 1.249,39 KB)
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MB85RS2MTPF-G-JNERE2 Technische Daten

HerstellerFujitsu Electronics America, Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFRAM
TechnologieFRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße2Mb (256K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz25MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.8V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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-

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.8ns

Spannung - Versorgung

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0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (9x9)

FM18W08-SGTR

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

F-RAM™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

130ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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