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MAX620EPN

MAX620EPN

Nur als Referenz

Teilenummer MAX620EPN
PNEDA Teilenummer MAX620EPN
Beschreibung IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18-DIP
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 2.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MAX620EPN Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAX620EPN
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
MAX620EPN, MAX620EPN Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 392,6 KB)
PDFMAX620CWN+T Datenblatt Cover
MAX620CWN+T Datenblatt Seite 2 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 3 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 4 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 5 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 6 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 7 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 8 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 9 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 10 MAX620CWN+T Datenblatt Seite 11

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MAX620EPN Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
Angetriebene KonfigurationHigh-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber4
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 16.5V
Logikspannung - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)1.7µs, 2.5µs
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall18-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket18-PDIP

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

200mA, 350mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

150ns, 50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4467EOE

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.2A, 1.2A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

TC4427AVOA713

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

25ns, 25ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TC4426EPA

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.5A, 1.5A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

19ns, 19ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

ISL6207CR-T

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

8ns, 8ns

Betriebstemperatur

-10°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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