MAX5078BATT+T
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| Teilenummer | MAX5078BATT+T |
| PNEDA Teilenummer | MAX5078BATT-T |
| Beschreibung | IC MOSFET DRIVER 6-TDFN |
| Hersteller | Maxim Integrated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.400 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MAX5078BATT+T Ressourcen
| Marke | Maxim Integrated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MAX5078BATT+T |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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MAX5078BATT+T Technische Daten
| Hersteller | Maxim Integrated |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 4V ~ 15V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.1V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 4A, 4A |
| Eingabetyp | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 32ns, 26ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-TDFN-EP (3x3) |
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Hersteller Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 7V ~ 20V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 500mA, 1A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 30ns, 25ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller Linear Technology/Analog Devices Serie - Angetriebene Konfiguration High-Side Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung - Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) - Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Synchronous Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 7V ~ 13.2V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 1.25A, 2A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 26ns, 18ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 10-VFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 10-DFN (3x3) |
