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MAX15025EATB+T

MAX15025EATB+T

Nur als Referenz

Teilenummer MAX15025EATB+T
PNEDA Teilenummer MAX15025EATB-T
Beschreibung IC GATE DRVR 2CH 16NS 10TDFN
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MAX15025EATB+T Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAX15025EATB+T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
MAX15025EATB+T, MAX15025EATB+T Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 442,87 KB)
PDFMAX15025BATB+ Datenblatt Cover
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MAX15025EATB+T Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
Angetriebene KonfigurationLow-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung4.5V ~ 28V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 4A
EingabetypInverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)48ns, 32ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-WFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-TDFN-EP (3x3)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

15V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.9V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

350mA, 650mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 25V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 9A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

77ns, 26ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-SO

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

80ns, 40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

28-PDIP

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

PE29101A-X

pSemi

Hersteller

pSemi

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 6.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 4A

Eingabetyp

CMOS/TTL

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1ns, 1ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

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