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M24C64-DRDW8TP/K

M24C64-DRDW8TP/K

Nur als Referenz

Teilenummer M24C64-DRDW8TP/K
PNEDA Teilenummer M24C64-DRDW8TP-K
Beschreibung IC EEPROM 64K I2C 1MHZ 8TSSOP
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.560
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 29 - Dez 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

M24C64-DRDW8TP/K Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM24C64-DRDW8TP/K
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M24C64-DRDW8TP/K, M24C64-DRDW8TP/K Datenblatt (Total Pages: 42, Größe: 1.284,42 KB)
PDFM24C64-DRDW8TP/K Datenblatt Cover
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M24C64-DRDW8TP/K Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite4ms
Zugriffszeit450ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.2GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

1Gb (32M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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90-VFBGA (8x13)

S29GL512S10TFI013

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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