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M24C02-DRMN3TP/K

M24C02-DRMN3TP/K

Nur als Referenz

Teilenummer M24C02-DRMN3TP/K
PNEDA Teilenummer M24C02-DRMN3TP-K
Beschreibung IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8SO
Hersteller STMicroelectronics
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M24C02-DRMN3TP/K Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerM24C02-DRMN3TP/K
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
M24C02-DRMN3TP/K, M24C02-DRMN3TP/K Datenblatt (Total Pages: 40, Größe: 601,08 KB)
PDFM24C02-DRMF3TG/K Datenblatt Cover
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M24C02-DRMN3TP/K Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (256 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite4ms
Zugriffszeit450ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-MSOP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1.152Mb (32K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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