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LTE-R38386-S

LTE-R38386-S

Nur als Referenz

Teilenummer LTE-R38386-S
PNEDA Teilenummer LTE-R38386-S
Beschreibung EMITTER IR 850NM 1A SMD
Hersteller Lite-On Inc.
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 20 - Jan 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

LTE-R38386-S Ressourcen

Marke Lite-On Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLTE-R38386-S
KategorieOptoelektronikInfrarot-, UV- und sichtbare EmitterInfrarot-, UV-, sichtbare Emitter
Datenblatt
LTE-R38386-S, LTE-R38386-S Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 535,58 KB)
PDFLTE-R38386-S Datenblatt Cover
LTE-R38386-S Datenblatt Seite 2 LTE-R38386-S Datenblatt Seite 3 LTE-R38386-S Datenblatt Seite 4 LTE-R38386-S Datenblatt Seite 5 LTE-R38386-S Datenblatt Seite 6 LTE-R38386-S Datenblatt Seite 7

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LTE-R38386-S Technische Daten

HerstellerLite-On Inc.
Serie-
TypInfrared (IR)
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)1A
Strahlungsintensität (dh) Min @ If160mW/sr @ 1A
Wellenlänge850nm
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.8V
Betrachtungswinkel90°
OrientierungTop View
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall2-SMD, No Lead Exposed Pad

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Strahlungsintensität (dh) Min @ If

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Strahlungsintensität (dh) Min @ If

1mW/sr @ 20mA

Wellenlänge

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.4V

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Infrared (IR)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

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Strahlungsintensität (dh) Min @ If

0.2mW/cm² @ 50mA

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.8V

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Broadcom Limited

Serie

ARE1-xxxx-00000

Typ

Infrared (IR)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

1A

Strahlungsintensität (dh) Min @ If

160mW/sr @ 1A

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Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

3V

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