LL5817 L0G
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| Teilenummer | LL5817 L0G |
| PNEDA Teilenummer | LL5817-L0G |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 20V 1A MELF |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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LL5817 L0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | LL5817 L0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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LL5817 L0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 500µA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | 110pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AB, MELF |
| Lieferantengerätepaket | MELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 125°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 430mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.85mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 1400pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Lieferantengerätepaket DO-221BC (SMPA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
