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LL101A-GS08

LL101A-GS08

Nur als Referenz

Teilenummer LL101A-GS08
PNEDA Teilenummer LL101A-GS08
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 60V 30MA SOD80
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 2.718
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

LL101A-GS08 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLL101A-GS08
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
LL101A-GS08, LL101A-GS08 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 95,48 KB)
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LL101A-GS08 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)30mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If410mV @ 1mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)1ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr200nA @ 50V
Kapazität @ Vr, F.2pF @ 0V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
LieferantengerätepaketSOD-80 MiniMELF
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

4500V

Current - Average Rectified (Io)

1630A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 2500A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100mA @ 4500V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AD

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 140°C

JANTXV1N6078

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/503

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

1.3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.76V @ 18.8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E, Axial

Lieferantengerätepaket

E-PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 155°C

NRVB5100MFST3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

980mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

SF2001G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S3BBHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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