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LH28F320S3HNS-L11

LH28F320S3HNS-L11

Nur als Referenz

Teilenummer LH28F320S3HNS-L11
PNEDA Teilenummer LH28F320S3HNS-L11
Beschreibung IC FLASH 32M PARALLEL 56SSOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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LH28F320S3HNS-L11 Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH28F320S3HNS-L11
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH28F320S3HNS-L11, LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt (Total Pages: 62, Größe: 673,89 KB)
PDFLH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Cover
LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 2 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 3 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 4 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 5 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 6 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 7 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 8 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 9 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 10 LH28F320S3HNS-L11 Datenblatt Seite 11

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LH28F320S3HNS-L11 Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße32Mb (4M x 8, 2M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite110ns
Zugriffszeit110ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall56-SOP (0.524", 13.30mm Width)
Lieferantengerätepaket56-SSOP

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

16Gb (512M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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