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LH28F008SCT-L85

LH28F008SCT-L85

Nur als Referenz

Teilenummer LH28F008SCT-L85
PNEDA Teilenummer LH28F008SCT-L85
Beschreibung IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP
Hersteller Sharp Microelectronics
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LH28F008SCT-L85 Ressourcen

Marke Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLH28F008SCT-L85
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
LH28F008SCT-L85, LH28F008SCT-L85 Datenblatt (Total Pages: 55, Größe: 557,31 KB)
PDFLH28F008SCT-L85 Datenblatt Cover
LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 2 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 3 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 4 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 5 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 6 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 7 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 8 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 9 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 10 LH28F008SCT-L85 Datenblatt Seite 11

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LH28F008SCT-L85 Technische Daten

HerstellerSharp Microelectronics
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße8Mb (1M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite85ns
Zugriffszeit85ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket40-TSOP

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-

Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

Lieferantengerätepaket

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AS4C16M16D1-5TCN

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TFBGA

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54-TFBGA (8x8)

CY62148DV30LL-55SXI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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32-SOIC

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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32-CDIP

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