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L6221CD

L6221CD

Nur als Referenz

Teilenummer L6221CD
PNEDA Teilenummer L6221CD
Beschreibung TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 22 - Jan 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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L6221CD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerL6221CD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
L6221CD, L6221CD Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.549,54 KB)
PDFL6221CD013TR Datenblatt Cover
L6221CD013TR Datenblatt Seite 2 L6221CD013TR Datenblatt Seite 3 L6221CD013TR Datenblatt Seite 4 L6221CD013TR Datenblatt Seite 5 L6221CD013TR Datenblatt Seite 6 L6221CD013TR Datenblatt Seite 7 L6221CD013TR Datenblatt Seite 8 L6221CD013TR Datenblatt Seite 9 L6221CD013TR Datenblatt Seite 10 L6221CD013TR Datenblatt Seite 11

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L6221CD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
Transistortyp4 NPN Darlington (Quad)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Lieferantengerätepaket20-SO

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A, 1.25A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V, 12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

180MHz, 220MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

MD8002

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 10V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

260MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

IMX4T108

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 10mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

SMT6

UMY1NTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP (Emitter Coupled)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

180MHz, 140MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

UMT5

HN1B04FE-Y,LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

100mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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