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JANTXV2N5666

JANTXV2N5666

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV2N5666
PNEDA Teilenummer JANTXV2N5666
Beschreibung TRANS NPN 200V 5A TO5
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JANTXV2N5666 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV2N5666
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JANTXV2N5666 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/455
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)200V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 5A, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)200nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 1A, 5V
Leistung - max1.2W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-5

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 10V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

85MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

MMBTA13LT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Leistung - max

225mW

Frequenz - Übergang

125MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 1V

Leistung - max

750mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

2SC4559

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 600mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 3A, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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