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JANTXV1N6623

JANTXV1N6623

Nur als Referenz

Teilenummer JANTXV1N6623
PNEDA Teilenummer JANTXV1N6623
Beschreibung DIODE GEN PURP 880V 1A D5A
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 30 - Dez 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTXV1N6623 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTXV1N6623
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JANTXV1N6623 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/585
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)880V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.55V @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr500nA @ 880V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallA, Axial
LieferantengerätepaketA-PAK
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Hersteller

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Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SC-75, SOT-416

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CEFB203-G

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Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

875mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

SBL10L25-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

25V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

460mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 25V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

1N4148WS-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-76, SOD-323

Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SURA8205T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

940mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

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