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JANTX2N3749

JANTX2N3749

Nur als Referenz

Teilenummer JANTX2N3749
PNEDA Teilenummer JANTX2N3749
Beschreibung TRANS NPN 80V 5A TO111
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.870
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JANTX2N3749 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJANTX2N3749
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JANTX2N3749 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/315
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500mA, 5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 1A, 2V
Leistung - max2W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypStud Mount
Paket / FallTO-111-4, Stud
LieferantengerätepaketTO-111

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 2A, 2V

Leistung - max

1.6W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1μA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

Leistung - max

400mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

3-SIP

Lieferantengerätepaket

MT-1-A1

JANTX2N5682

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/583

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

JAN2N5671

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/488

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

90V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 6A, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 15A, 2V

Leistung - max

6W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3 (TO-204AA)

BC817K25E6433HTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

170MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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