JANTX1N5550US
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| Teilenummer | JANTX1N5550US |
| PNEDA Teilenummer | JANTX1N5550US |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 5A B-MELF |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.922 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 1 - Dez 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JANTX1N5550US Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTX1N5550US |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JANTX1N5550US Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/420 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 670mV @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 19.64ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 50µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 672pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 10A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller WeEn Semiconductors Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.9V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 20ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 40µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 0.58V @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 345pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall L-FLAT™ Lieferantengerätepaket L-FLAT™ (4x5.5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 125°C |
