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JAN2N6674

JAN2N6674

Nur als Referenz

Teilenummer JAN2N6674
PNEDA Teilenummer JAN2N6674
Beschreibung TRANS NPN 300V 15A TO3
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.374
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 24 - Jan 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

JAN2N6674 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN2N6674
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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JAN2N6674 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/537
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)300V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic5V @ 5A, 15A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce8 @ 10A, 2V
Leistung - max6W
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-204AA, TO-3
LieferantengerätepaketTO-204AA (TO-3)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.25V @ 8mA, 800mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10000 @ 500mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

BUJ106A,127

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1.2A, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

14 @ 500mA, 5V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

BC847CE6433HTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

2SA933ASTPQ

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-72 Formed Leads

Lieferantengerätepaket

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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