JAN2N2906AL
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| Teilenummer | JAN2N2906AL |
| PNEDA Teilenummer | JAN2N2906AL |
| Beschreibung | TRANS PNP 60V 0.6A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.642 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JAN2N2906AL Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN2N2906AL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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JAN2N2906AL Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/291 |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-18 (TO-206AA) |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket S-Mini |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 5A, 25A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 15A, 4V Leistung - max 125W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 24 @ 425mA, 2V Leistung - max 20W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-126 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 230V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V Leistung - max 2W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220NIS |
