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JAN1N6627U

JAN1N6627U

Nur als Referenz

Teilenummer JAN1N6627U
PNEDA Teilenummer JAN1N6627U
Beschreibung DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.614
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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JAN1N6627U Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN1N6627U
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JAN1N6627U Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/590
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)400V
Current - Average Rectified (Io)1.75A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.35V @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)30ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr2µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSQ-MELF, E
LieferantengerätepaketD-5B
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 150°C

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Lieferantengerätepaket

LLDS

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

TST30H200CW C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BAS21VMFHTE-17

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

200mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100nA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

2.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-90, SOD-323F

Lieferantengerätepaket

UMD2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

VS-E4PH6006LHN3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2V @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

CURC306-G

Comchip Technology

Hersteller

Comchip Technology

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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