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JAN1N6391

JAN1N6391

Nur als Referenz

Teilenummer JAN1N6391
PNEDA Teilenummer JAN1N6391
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 45V 22.5A DO203AA
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.658
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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JAN1N6391 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerJAN1N6391
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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JAN1N6391 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/553
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)45V
Current - Average Rectified (Io)22.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If680mV @ 50A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1.5mA @ 45V
Kapazität @ Vr, F.2000pF @ 5V, 1MHz
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-203AA, DO-4, Stud
LieferantengerätepaketDO-203AA (DO-4)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

35V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

800µA @ 35V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

500mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

200pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

MBR8045R

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

SDT5A100P5-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

660mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerDI™ 5

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

STF12100

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Hersteller

SMC Diode Solutions

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 12A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

300µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

660pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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