JAN1N5809URS
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| Teilenummer | JAN1N5809URS |
| PNEDA Teilenummer | JAN1N5809URS |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.370 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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JAN1N5809URS Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN1N5809URS |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JAN1N5809URS Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/477 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SQ-MELF, B |
| Lieferantengerätepaket | B, SQ-MELF |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 12pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket DO-214AC (SMA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 15A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 260ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 [K] Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 17pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Kyocera International Inc. Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 65V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 630mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 65V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220 Full-Mold Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 1.5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 660mV @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 70µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket SOD-123F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
