JAN1N3595A-1
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| Teilenummer | JAN1N3595A-1 |
| PNEDA Teilenummer | JAN1N3595A-1 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.064 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JAN1N3595A-1 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN1N3595A-1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JAN1N3595A-1 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/241 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 125V |
| Current - Average Rectified (Io) | 150mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 2nA @ 125V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-35 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF (Glass) Lieferantengerätepaket DO-213AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 300ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 140ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1700V Current - Average Rectified (Io) 50A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 50A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 27µA @ 1700V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Sawn on foil Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 5.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 510mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 405pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
