JAN1N1186
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| Teilenummer | JAN1N1186 |
| PNEDA Teilenummer | JAN1N1186 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.246 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JAN1N1186 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JAN1N1186 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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JAN1N1186 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/297 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 110A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-5 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4.3ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 12pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123 Lieferantengerätepaket SOD-123 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 10A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 850mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket ITO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 420mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 2000pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AA, SMB Lieferantengerätepaket DO-214AA (SMB) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 15µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-247-2 (Straight Leads) Lieferantengerätepaket DO-247 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller SMC Diode Solutions Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 10A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 250pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
