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IXZH10N50L2B

IXZH10N50L2B

Nur als Referenz

Teilenummer IXZH10N50L2B
PNEDA Teilenummer IXZH10N50L2B
Beschreibung RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
Hersteller IXYS-RF
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Auf Lager 7.758
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXZH10N50L2B Ressourcen

Marke IXYS-RF
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXZH10N50L2B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
IXZH10N50L2B, IXZH10N50L2B Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 896,38 KB)
PDFIXZH10N50L2A Datenblatt Cover
IXZH10N50L2A Datenblatt Seite 2 IXZH10N50L2A Datenblatt Seite 3 IXZH10N50L2A Datenblatt Seite 4 IXZH10N50L2A Datenblatt Seite 5 IXZH10N50L2A Datenblatt Seite 6 IXZH10N50L2A Datenblatt Seite 7

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IXZH10N50L2B Technische Daten

HerstellerIXYS-RF
SerieZ-MOS™
TransistortypN-Channel
Frequenz70MHz
Gewinn17dB
Spannungstest100V
Nennstrom (Ampere)10A
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung200W
Spannung - Nennspannung500V
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXFH)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

55mA

Leistung - Leistung

750mW

Spannung - Nennspannung

65V

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Frequenz

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Gewinn

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28V

Nennstrom (Ampere)

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1dB

Stromtest

25mA

Leistung - Leistung

15W

Spannung - Nennspannung

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.3GHz

Gewinn

14.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

280mA

Leistung - Leistung

16W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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