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IXYP10N65C3D1M

IXYP10N65C3D1M

Nur als Referenz

Teilenummer IXYP10N65C3D1M
PNEDA Teilenummer IXYP10N65C3D1M
Beschreibung IGBT
Hersteller IXYS
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYP10N65C3D1M Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYP10N65C3D1M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXYP10N65C3D1M Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™, GenX3™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 10A
Leistung - max53W
Schaltenergie240µJ (on), 170µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/77ns
Testbedingung400V, 10A, 50Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)26ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
LieferantengerätepaketTO-220 Isolated Tab

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

258µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/96ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

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Infineon Technologies

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

2.55mJ (on), 1.55mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

285nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/315ns

Testbedingung

600V, 40A, 9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-41

AUIRG4PC40S-E

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 31A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

450µJ (on), 6.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/650ns

Testbedingung

480V, 31A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

IRGP20B60PDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

95µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/115ns

Testbedingung

390V, 13A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 5V, 14A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/6µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

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