IXYH75N120B4
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| Teilenummer | IXYH75N120B4 |
| PNEDA Teilenummer | IXYH75N120B4 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.012 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXYH75N120B4 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH75N120B4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH75N120B4 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | XPT™, GenX4™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 240A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 440A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 1150W |
| Schaltenergie | 4.5mJ (on), 2.7mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 157nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/182ns |
| Testbedingung | 600V, 50A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 66ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 15A Leistung - max 160W Schaltenergie 320µJ (on), 356µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/44ns Testbedingung 300V, 15A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A Leistung - max 168W Schaltenergie 77µJ (on), 170µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/139ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A Leistung - max 16W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 13.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/69ns Testbedingung 400V, 4A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220NFM |
