IXYH50N65C3
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| Teilenummer | IXYH50N65C3 |
| PNEDA Teilenummer | IXYH50N65C3 |
| Beschreibung | IGBT 650V 130A 600W TO247 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYH50N65C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYH50N65C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXYH50N65C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 130A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 36A |
| Leistung - max | 600W |
| Schaltenergie | 1.3mJ (on), 370µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 80nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/80ns |
| Testbedingung | 400V, 36A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 (IXYH) |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 12A Leistung - max 150W Schaltenergie 160µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/73ns Testbedingung 400V, 12A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
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Hersteller STMicroelectronics Serie * IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A Leistung - max 625W Schaltenergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 420nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 66ns/185ns Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 202ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad Lieferantengerätepaket MAX247™ |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 4.5V, 130A Leistung - max 45W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
