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IXYH40N120C3

IXYH40N120C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH40N120C3
PNEDA Teilenummer IXYH40N120C3
Beschreibung IGBT 1200V 70A 577W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.176
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IXYH40N120C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH40N120C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH40N120C3, IXYH40N120C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 201,97 KB)
PDFIXYH40N120C3 Datenblatt Cover
IXYH40N120C3 Datenblatt Seite 2 IXYH40N120C3 Datenblatt Seite 3 IXYH40N120C3 Datenblatt Seite 4 IXYH40N120C3 Datenblatt Seite 5 IXYH40N120C3 Datenblatt Seite 6

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IXYH40N120C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)115A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 40A
Leistung - max577W
Schaltenergie3.9mJ (on), 660µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/125ns
Testbedingung600V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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RJH65T46DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

340.9W

Schaltenergie

450µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/170ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

APT70GR65B

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

260A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

1.51mJ (on), 1.46mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

305nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4PC50FD-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 39A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 2.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/240ns

Testbedingung

480V, 39A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Leistung - max

652W

Schaltenergie

3.8mJ (on), 3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

235nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/312ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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